March1996
NDC7003P
双P-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
____________________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDC7003P 单位
V
DSS
流-源 电压 -50 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 -20 V
I
D
流 电流 - 持续的 (便条 1a) -0.34 一个
- 搏动 -1
P
D
最大电源 消耗(便条 1a) 0.96 W
(便条 1b)
0.9
(便条 1c)
0.7
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 130 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 60 °c/w
-0.34a, -50v. r
ds(在)
= 5
Ω
@ v
GS
=-10v.
高 密度 cell 设计 为 低 r
ds(在)
.
专卖的 supersot
TM
-6 包装 设计 使用 铜
含铅的 框架 为 更好的 热的 和 电的 能力.
高 饱和 电流
.
1
5
4
6
3
2
sot-6 (supersot
TM
-6)
这些 双 p-频道 增强 模式 电源 地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个
非常 高 密度 处理 有 被 设计 至 降低
在-状态 阻抗, 提供 坚毅的 和 可依靠的
效能 和 快 切换.这个 产品 是
特别 suited 至 低 电压 产品 需要 一个
低 电流高 一侧转变.
© 1997 仙童 半导体 公司
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