十一月1996
NDP6020/ ndb6020
n-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
_______________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDP6020 NDB6020 单位
V
DSS
流-源 电压 20 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
<1 m
Ω
)
20 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ±8 V
I
D
流 电流 - 持续的 35 一个
- 搏动 100
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 60 W
减额 在之上 25
°
C 0.4 w/
°
C
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 175 °C
ndp6020 rev.c
35一个, 20v. r
ds(在)
= 0.023
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 0.028
Ω
@ v
GS
= 2.7 v.
核心的 直流 电的 参数 指定 在 提升
温度.
坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这 需要
为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时 suppressor.
175°c 最大 接合面 温度 比率.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 为 两个都 通过
孔 和 表面 挂载 产品.
这些 逻辑 水平的 n-频道 增强 模式 电源
地方 效应 晶体管 是 生产 使用 国家的's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个
非常 高 密度 处理 有 被 特别 tailored
至 降低 在-状态 阻抗, 提供 更好的
切换 效能, 和 承受 高 活力
脉冲 在 这 avalanche 和 commutation 模式.
这些 设备 是 特别 suited 为 低 电压
产品 此类 作 automotive, 直流/直流 转换器,
pwm 发动机 控制, 和 其它 电池 powered
电路 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失,
和 阻抗 至 过往旅客 是 需要.
S
D
G
© 1997 仙童 半导体 公司
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