半导体 组件 industries, llc, 2002
april, 2002 – rev. 6
1
发行 顺序 号码:
nlas4599/d
这 nlas4599 是 一个 先进的 高 速 cmos 单独的 柱子 –
翻倍 throw 相似物 转变 fabricated 和 硅 门 cmos
技术. 它 achieves 高 速 传播 延迟 和 低 在
抵制 当 维持 低 电源 消耗. 这个 转变
控制 相似物 和 数字的 电压 那 将 相异 横过 这 全部
power–supply 范围 (从 v
CC
至 地).
这 设备 有 被 设计 所以 这 在 阻抗 (r
在
) 是 更
更小的 和 更多 直线的 在 输入 电压 比 r
在
的 典型 cmos
相似物 switches.
这 频道 选择 输入 是 兼容 和 标准 cmos 输出.
这 频道 选择 输入 结构 提供 保护 当
电压 在 0 v 和 5.5 v 是 应用, regardless 的 这 供应
电压. 这个 输入 结构 helps 阻止 设备 destruction 造成
用 供应 电压 – 输入/输出 电压 mismatch, 电池 backup,
hot 嵌入, 等
•
频道 选择 输入 over–voltage tolerant 至 5.5 v
•
快 切换 和 传播 speeds
•
break–before–make 电路系统
•
低 电源 消耗: i
CC
= 2
一个 (最大值) 在 t
一个
= 25
°
C
•
二极管 保护 提供 在 频道 选择 输入
•
改进 线性 和 更小的 在 阻抗 在 输入 电压
•
latch–up 效能 超过 300 毫安
•
静电释放 效能: hbm > 2000 v; mm > 200 v
•
碎片 complexity: 38 fets
函数 表格
L
H
选择
NC
非
在 频道
U U
COM
频道 选择
2 x 0
2 x 1
非
U
NC
非
选择
COM
NC
地
V
+
图示 1. 管脚 分派
图示 2. 逻辑 标识
标记
图解
sot–23/tsop–6/sc–59
dt 后缀
情况 318g
sc–70/sc–88/sot–363
df 后缀
情况 419b
AO
d
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维度 部分 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
AO
d
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