半导体 组件 industries, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
ntd12n10/d
NTD12N10
preferred 设备
电源 场效应晶体管
12 放大器, 100 伏特 n−channel
enhancement−mode dpak
特性
•
pb−free 包装 是 有
•
source−to−drain 二极管 恢复 时间 comparable 至 一个
分离的 快 恢复 二极管
•
avalanche 活力 指定
•
I
DSS
和 r
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
挂载 信息 提供 为 这 dpak 包装
典型 产品
•
pwm 发动机 控制
•
电源 供应
•
转换器
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
100 Vdc
drain−to−source 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
100 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
30
Vdc
Vpk
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流− 持续的 @ t
一个
=100
°
C
流 电流− 搏动 (便条 3)
I
D
I
D
I
DM
12
7.0
36
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 2)
P
D
56.6
0.38
1.76
1.28
W
w/
°
C
W
W
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
+175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 50 vdc, v
GS
= 10 vdc,
I
L
= 12 apk, l = 1.0 mh, r
G
= 25
)
E
作
75 mJ
热的 阻抗
− 接合面 至 情况
− 接合面 至 包围的 (便条 1)
− 接合面 至 包围的 (便条 2)
R
JC
R
JA
R
JA
2.65
85
117
°
c/w
最大 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq 在 垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小.
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 10
s, 职责 循环 = 2%.
N−Channel
D
S
G
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
1
门
3
源
2
流
4
流
DPAK
情况 369c
(表面 挂载)
样式 2
T12N10 = 设备 代号
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
1
2
3
4
DPAK−3
情况 369d
(笔直地 含铅的)
样式 2
1
2
3
4
标记
图解
100 v 165 m
@ 10 v
R
ds(在)
典型值
12 一个
I
D
最大值V
(br)dss
AYWW
T12
N10
1
门
3
源
2
流
4
流
AYWW
T12
N10
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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