特性
• 双 频道 optocoupler
• 便利的 塑料 soic-8 表面 mountable 包装 样式
• 二 途径 在 一个 紧凑的 表面 挂载 包装
• closely matched 电流 转移 ratios 至 降低 单位-至-单位 变化
• 最小 v
(br)ceo
的 70 伏特 有保证的
• 标准 soic-8 footprint, 和 0.050” 含铅的 间隔
• 兼容 和 双 波, vapor 阶段 和 ir 软熔焊接 焊接
• 高 输入-输出 分开 的 2500 vac (rms) 有保证的
• 满足 u.l. regulatory (所需的)东西, 文件 #e90700, 容积 2
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
描述
这 mocd207m/mocd208m 组成 的 二 硅 phototransistors optically 结合 至 二
gaas infrared leds. 这些 设备 是 构成 在 一个 小 外形 表面 挂载 包装
这个 遵从 至 这 标准 soic-8 footprint.
比率 标识 值 单位
发射级
I
F
60 毫安
向前 电流 - 持续的
向前 电流 - 顶峰 (pw = 100 µs, 120 pps) I
F
(pk) 1.0 一个
反转 电压 V
R
6.0 V
led 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
90 mW
减额 在之上 25°c 0.8 mw/°c
探测器
V
CEO
70 V
集电级-发射级 电压
集电级-根基 电压 V
CBO
70 V
发射级-集电级 电压 V
ECO
7.0 V
集电级 电流-持续的 I
C
150 毫安
探测器 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
150 mW
减额 在之上 25°c 1.76 mw/°c
总的 设备
输入-输出 分开 电压
(1,2)
V
ISO
2500 vac(rms)
(f = 60 hz, 1 最小值 持续时间)
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
250 mW
减额 在之上 25°c 2.94 mw/°c
包围的 运行 温度 范围 T
一个
-45 至 +100 °C
存储 温度 范围 T
stg
-45 至 +125 °C
含铅的 焊接 温度
T
L
260 °C
(1/16” 从 情况, 10 秒. 持续时间)
MOCD207M MOCD208M
发射级 1
集电级 1
anode 1
cathode 1
1
2
3
4
5
6
7
8
发射级 2
集电级 2
anode 2
cathode 2
双 频道 phototransistor
小 外形 表面 挂载
OPTOCOUPLERS
2001 仙童 半导体 公司
DS300270 12/19/01 1 的 6 www.fairchildsemi.com
产品
•
反馈 控制 电路
•
接合 和 连接 系统 的 不同的 potentials 和 阻抗
•
一般 目的 切换 电路
•
监控 和 发现 电路
: 点此下载
