4/10/03
双 频道 phototransistor
小 外形 表面 挂载
OPTOCOUPLERS
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© 2002 仙童 半导体 公司
mocd213-m
发射级 1
集电级 1
anode 1
cathode 1
1
2
3
4
5
6
7
8
发射级 2
集电级 2
anode 2
cathode 2
描述
这 mocd213-m 设备 组成 的 二 镓 砷化物 infrared 发出 二极管 optically 结合 至
二 大而单一的 硅 phototransistor detectors, 在 一个 表面 mountable, 小 外形 塑料 包装. 它
是 ideally suited 为 高 密度 产品 和 排除 这 需要 为 通过-这-板 挂载.
特性
•U.l. 公认的 (文件 #e90700, 容积 2)
• vde 公认的 (文件 #136616) (增加 选项 “v” 为 vde 承认, i.e, mocd213v-m)
• 双 频道 coupler
• 便利的 塑料 soic-8 表面 mountable 包装 样式
• 最小 电流 转移 比率 100% 和 输入 电流 的 10 毫安
• 最小 bv
CEO
的 70 伏特 有保证的
• 标准 soic-8 footprint, 和 0.050" 含铅的 间隔
• 兼容 和 双 波, vapor 阶段 和 ir reflow 焊接
• 高 输入-输出 分开 的 2500 v
交流(rms)
有保证的
产品
•Feedback 控制 电路
• 接合 和 连接 系统 的 不同的 potentials 和 阻抗
• 一般 目的 切换 电路
• 监控 和 发现 电路
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified)
比率 标识 值 单位
发射级
向前 电流 - 持续的 I
F
60 毫安
向前 电流 - 顶峰 (pw = 100 µs, 120 pps) I
F
(pk) 1.0 一个
反转 电压 V
R
6.0 V
led 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
90 mW
减额 在之上 25°c 0.8 mw/°c
探测器
集电级-发射级 电压 V
CEO
70 V
发射级-集电级 电压 V
ECO
7.0 V
集电级 电流-持续的 I
C
150 毫安
探测器 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
150 mW
减额 在之上 25°c 1.76 mw/°c
TOTal 设备
输入-输出 分开 电压
(1,2,3)
(f = 60 hz, 1 最小值 持续时间)
V
ISO
2500 vac(rms)
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
250 mW
减额 在之上 25°c 2.94 mw/°c
包围的 运行 温度 范围 T
一个
-40 至 +100 °C
存储 温度 范围 T
stg
-40 至 +125 °C
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