P28F001BX-T120_集成电路资料查询网


其它 brands 和 names 是 这 所有物 的 它们的 各自的 owners
信息 在 这个 文档 是 提供 在 连接 和 Intel products Intel 假设 非 责任 whatsoever 包含 侵犯 的 任何 专利权 或者
copyright 为 出售 和 使用 的 Intel 产品 除了 作 提供 在 Intel’s 条款 和 情况 的 出售 为 此类 products Intel retains 这 正确的 至 制造
改变 至 这些 规格 在 任何 time 没有 notice Microcomputer 产品 将 有 minor 变化 至 这个 规格 知道 作 errata
十一月 1995
版权

INTEL CORPORATION 1995
顺序 Number 290406-007
1-mbit (128k x 8)
激励 块 FLASH 记忆
28f001bx-t28f001bx-b28f001bn-t28f001bn-b
Y
高-integration Blocked Architecture
 一个 8 KB 激励 块 wLock 输出
 二 4 KB 参数 Blocks
 一个 112 KB 主要的 块
Y
100000 EraseProgram 循环 每
块
Y
Simplified 程序 和 擦掉
 Automated Algorithms 通过 在-碎片
写 状态 机器 (wsm)
Y
sram-兼容 写 接口
Y
深的 电源-向下 模式
 005
m
AI
CC
典型
 08
m
AI
PP
典型
Y
120V
g
5% V
PP
Y
高-效能 读
 7075 ns 90 ns 120 ns 150 ns
最大 进入 时间
 50V
g
10% V
CC
Y
硬件 数据 保护 特性
 EraseWrite Lockout 在 电源
Transitions
Y
先进的 Packaging 电子元件工业联合会 Pinouts
 32-管脚 PDIP
 32-含铅的 PLCC TSOP
Y
ETOX
TM
II Nonvolatile Flash
技术
 非易失存储器-兼容 处理 根基
 高-容积 制造
Experience
Y
扩展 温度 选项
Intel’s 28f001bx-b 和 28f001bx-t 联合的 这 费用-成效 的 Intel 标准 flash 记忆 和
特性 那 使简化 写 和 准许 块 erase 这些 设备 aid 这 系统 设计者 用 结合 这
功能 的 一些 组件 在 one 制造 激励 块 flash 一个 革新的 alternative 至 非易失存储器 和
可擦可编程只读存储器 或者 电池-backed 静态的 RAM 许多 新 和 存在 设计 能 引领 有利因素 的 这
28F001BX’s integration 的 blocked architecture automated 电的 reprogramming 和 标准 处理器
interface
这 28f001bx-b 和 28f001bx-t 是 1048576 位 nonvolatile memories 有组织的 作 131072 字节 的
8 bits 它们 是 offered 在 32-管脚 塑料 DIP 32-含铅的 PLCC 和 32-含铅的 TSOP packages 管脚 分派
遵从 至 电子元件工业联合会 standards 为 字节-宽 EPROMs 这些 设备 使用 一个 整体的 command 端口 和
状态 机器 为 simplified 块 erasure 和 字节 reprogramming 这 28f001bx-t’s 块 locations pro-
vide 兼容性 和 微处理器 和 微控制器 那 激励 从 高 memory 此类 作 Intel’s
MCS

-186 family 80286 i386
TM
 i486
TM
 i860
TM
和 80960CA 和 exactly 这 一样 记忆 segmentation
这 28f001bx-b 记忆 编排 是 tailored 为 微处理器 和 微控制器 那 激励 从 低 memory
此类 作 Intel’s mcs-51 mcs-196 80960KX 和 80960SX families 所有 其它 特性 是 identical 和 除非
否则 noted 这 期 28F001BX 能 谈及 至 也 设备 全部地 这 remainder 的 这个 document
这 激励 块 部分 包含 一个 reprogramming 写 锁 输出 特性 至 保证 数据 integrity 它 是
设计 至 包含 secure 代号 这个 将 bring 向上 这 系统 minimally 和 下载 代号 至 这 其它
locations 的 这 28F001BX Intel’s 28F001BX 雇用 先进的 CMOS 电路系统 为 系统 需要 高-
效能 进入 speeds 低 电源 consumption 和 免除 至 noise 它的 进入 时间 提供
非-wait-状态 效能 为 一个 宽 范围 的 微处理器 和 microcontrollers 一个 深的-powerdown
模式 lowers 电源 消耗量 至 025
m
W 典型 通过 V
CC
 crucial 在 laptop computer handheld instru-
mentation 和 其它 低-电源 applications 这 RP

电源 控制 输入 也 提供 绝对 数据 protec-
tion 在 系统 powerup 或者 电源 loss
制造的 在 Intel’s ETOX 处理 base 这 28F001BX builds 在 年 的 非易失存储器 experience 至 yield 这
最高的 水平 的 quality reliability 和 费用-effectiveness
NOTE
这 28F001BN 是 相等的 至 这 28F001BX

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 其它 brands 和 names 是这所有物的它们的各自的 owners 信息在这个文档是提供在连接和 Intel products Intel 假设非责任 whatsoever 包含侵犯的任何专利权或者 copyright 为出售和使用的 Intel 产品除了作提供在 Intel’s 条款和情况的出售为此类 products Intel retains 这正确的至制造改变至这些规格在任何 time 没有 notice Microcomputer 产品将有 minor 变化至这个规格知道作 errata 十一月 1995 版权  INTEL CORPORATION 1995 顺序 Number 290406-007 1-mbit (128k x 8) 激励块 FLASH 记忆 28f001bx-t28f001bx-b28f001bn-t28f001bn-b Y 高-integration Blocked Architecture  一个 8 KB 激励块 wLock 输出  二 4 KB 参数 Blocks  一个 112 KB 主要的块 Y 100000 EraseProgram 循环每块 Y Simplified 程序和擦掉  Automated Algorithms 通过在-碎片写状态机器 (wsm) Y sram-兼容写接口 Y 深的电源-向下模式  005 m AI CC 典型  08 m AI PP 典型 Y 120V g 5% V PP Y 高-效能读  7075 ns 90 ns 120 ns 150 ns 最大进入时间  50V g 10% V CC Y 硬件数据保护特性  EraseWrite Lockout 在电源 Transitions Y 先进的 Packaging 电子元件工业联合会 Pinouts  32-管脚 PDIP  32-含铅的 PLCC TSOP Y ETOX TM II Nonvolatile Flash 技术  非易失存储器-兼容处理根基  高-容积制造 Experience Y 扩展温度选项 Intel’s 28f001bx-b 和 28f001bx-t 联合的这费用-成效的 Intel 标准 flash 记忆和特性那使简化写和准许块 erase 这些设备 aid 这系统设计者用结合这功能的一些组件在 one 制造激励块 flash 一个革新的 alternative 至非易失存储器和可擦可编程只读存储器或者电池-backed 静态的 RAM 许多新和存在设计能引领有利因素的这 28F001BX’s integration 的 blocked architecture automated 电的 reprogramming 和标准处理器 interface 这 28f001bx-b 和 28f001bx-t 是 1048576 位 nonvolatile memories 有组织的作 131072 字节的 8 bits 它们是 offered 在 32-管脚塑料 DIP 32-含铅的 PLCC 和 32-含铅的 TSOP packages 管脚分派遵从至电子元件工业联合会 standards 为字节-宽 EPROMs 这些设备使用一个整体的 command 端口和状态机器为 simplified 块 erasure 和字节 reprogramming 这 28f001bx-t’s 块 locations pro- vide 兼容性和微处理器和微控制器那激励从高 memory 此类作 Intel’s MCS  -186 family 80286 i386 TM  i486 TM  i860 TM 和 80960CA 和 exactly 这一样记忆 segmentation 这 28f001bx-b 记忆编排是 tailored 为微处理器和微控制器那激励从低 memory 此类作 Intel’s mcs-51 mcs-196 80960KX 和 80960SX families 所有其它特性是 identical 和除非否则 noted 这期 28F001BX 能谈及至也设备全部地这 remainder 的这个 document 这激励块部分包含一个 reprogramming 写锁输出特性至保证数据 integrity 它是设计至包含 secure 代号这个将 bring 向上这系统 minimally 和下载代号至这其它 locations 的这 28F001BX Intel’s 28F001BX 雇用先进的 CMOS 电路系统为系统需要高- 效能进入 speeds 低电源 consumption 和免除至 noise 它的进入时间提供非-wait-状态效能为一个宽范围的微处理器和 microcontrollers 一个深的-powerdown 模式 lowers 电源消耗量至 025 m W 典型通过 V CC  crucial 在 laptop computer handheld instru- mentation 和其它低-电源 applications 这 RP  电源控制输入也提供绝对数据 protec- tion 在系统 powerup 或者电源 loss 制造的在 Intel’s ETOX 处理 base 这 28F001BX builds 在年的非易失存储器 experience 至 yield 这最高的水平的 quality reliability 和费用-effectiveness NOTE 这 28F001BN 是相等的至这 28F001BX

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