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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级– 发射级 电压 V
CEO
40 Vdc
集电级– 根基 电压 V
CBO
75 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
600 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
200
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
R
q
JC
83.3
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级– 发射级 损坏 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
40 — Vdc
集电级– 根基 损坏 电压
(i
C
= 10
m
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
75 — Vdc
发射级– 根基 损坏 电压
(i
E
= 10
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
6.0 — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 60 vdc, v
eb(止)
= 3.0 vdc)
I
CEX
— 10 nAdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 60 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= 60 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 150
°
c)
I
CBO
—
—
0.01
10
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 3.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 10 nAdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 10 v)
I
CEO
— 10 nAdc
根基 截止 电流
(v
CE
= 60 vdc, v
eb(止)
= 3.0 vdc)
I
BEX
— 20 nAdc
顺序 这个 文档
用 p2n2222a/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
P2N2222A
情况 29–04, 样式 17
to–92 (to–226aa)
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
1
2
根基
3
发射级