STP5NB100
STP5NB100FP
N - 频道 1000V - 2.4
Ω
- 5A - 至-220/至-220fp
PowerMESH
场效应晶体管
ν
典型 R
ds(在)
= 2.4
Ω
ν
极其 高 dv/dt 能力
ν
100% AVALANCHE 测试
ν
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
ν
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 the 最新的 高 电压 MESH OVERLAY
处理, 意法半导体 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 MOSFETs 和
优秀的 performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 rds(在) 每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
ν
高 电流, 高 速 切换
ν
转变 模式 电源 供应 (smps)
ν
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
二月 2000
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
STP5NB100 STP5NB100FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 1000 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
1000 V
V
GS
Gate-source 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C 5 5(*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
C 3.1 3.1(*) 一个
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 15.2 15.2 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C 135 40 W
Derating Factor 1.08 0.32 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 slope 4.5 4.5 v/ns
V
ISO
Insulation Withst和 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
贮存age Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 Operating 接合面 温度 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
5 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
(
*
) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP5NB100
STP5NB100FP
1000 V
1000 V
<2.7
Ω
<2.7
Ω
5A
5A
1/9