参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 49
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 27 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
200
I
LM
clamped inductive 加载 电流
200
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
15 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 160
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 65
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度,为10秒 300 (0.063 在. (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1n•m)
E
C
G
n-频道
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
•
快: 优化 为 中等 运行
发生率 ( 1-5 khz 在 hard 切换, >20
khz 在 resonant 模式).
•
一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
一代 3
•
工业 标准 至-220ab 包装
•
一代 4 igbts 提供 最高的 效率 有
•
igbts 优化 为 指定 应用 情况
•
设计 至 是 一个 "漏出-在" 替换 为 相等的
工业-标准 一代 3 ir igbts
益处
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
=
1.50v
@V
GE
= 15v, i
C
= 27a
4/17/2000
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.77
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载
–––
80
Wt 重量 2.0 (0.07)
–––
g (oz)
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
至-220AB
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