飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP37N06T
标准 水平的 场效应晶体管
一般 描述 快 涉及 数据
n-频道 增强 模式
标识 参数 最大值 单位
标准 水平的 地方-效应 电源
晶体管 在 一个 塑料 封套 使用 V
DS
流-源 电压 55 V
’
trench
’ 技术. 这 设备 I
D
流 电流 (直流) 37 一个
特性 非常 低 在-状态 阻抗 P
tot
总的 电源 消耗 100 W
和 有 integral 齐纳 二极管 给 T
j
接合面 温度 175 ˚C
静电释放 保护 向上 至 2kv. 它 是 R
ds(在)
流-源 在-状态 35 m
Ω
将 为 使用 在 直流-直流 阻抗 V
GS
= 10 v
转换器 和 一般 目的
切换 产品.
固定 - to220ab 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 门
2 流
3 源
tab 流
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 - - 55 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
-55v
±
V
GS
门-源 电压 - - 20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 25 ˚c - 37 一个
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 100 ˚c - 26 一个
I
DM
流 电流 (脉冲波 顶峰 值) T
mb
= 25 ˚c - 148 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
= 25 ˚c - 100 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - - 55 175 ˚C
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 电容 人 身体 模型 - 2 kV
电压, 所有 管脚 (100 pf, 1.5 k
Ω
)
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 至 - - 1.5 k/w
挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 在 自由 空气 60 - k/w
包围的
d
g
s
123
tab
12月 1997 1 rev 1.200
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