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BZX84C2V7–BZX84C51
vishay telefunken
rev. 1, 01-apr-99 1 (5)
www.vishay.de
•
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85606
350 mw 表面 挂载 齐纳 二极管
特性
D
planar 消逝 构建
D
350 mw 电源 消耗
D
齐纳 电压 从 2.7v – 51v
D
ideally suited 为 automated 组装 处理
94 8550
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
电源 消耗 在 陶瓷的 基质
10mm x 8mm x 0.7mm
P
d
350 mW
齐纳 电流 (看 计算数量 1–3 在下)
接合面 和 存储
温度 范围
T
j
=T
stg
–55...+150
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 陶瓷的 基质 10mm x 8mm x 0.7mm R
thJA
420 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=10 毫安 V
F
0.9 V

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BZX84C2V7–BZX84C51 vishay telefunken rev. 1, 01-apr-99 1 (5) www.vishay.de • faxback +1-408-970-5600 文档号码 85606 350 mw 表面挂载齐纳二极管特性 D planar 消逝构建 D 350 mw 电源消耗 D 齐纳电压从 2.7v – 51v D ideally suited 为 automated 组装处理 94 8550 绝对最大比率 T j = 25 _ C 参数测试情况标识值单位电源消耗在陶瓷的基质 10mm x 8mm x 0.7mm P d 350 mW 齐纳电流 (看计算数量 1–3 在下) 接合面和存储温度范围 T j =T stg –55...+150 ° C 最大热的阻抗 T j = 25 _ C 参数测试情况标识值单位接合面包围的在陶瓷的基质 10mm x 8mm x 0.7mm R thJA 420 k/w 电的特性 T j = 25 _ C 参数测试情况类型标识最小值 Typ 最大值单位向前电压 I F =10 毫安 V F 0.9 V

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