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PMV60EN
µ
trenchmos™ 增强 逻辑 水平的 场效应晶体管
rev. 01 — 15 january 2003 产品 数据
M3D088
1. 产品 proﬁle
1.1 描述
n-频道 增强 模式 ﬁeld-效应 晶体管 在 一个 塑料 包装 使用
trenchmos™ 技术.
产品 有效性:
pmv60en 在 sot23.
1.2 特性
1.3 产品
1.4 快 涉及 数据
2. 固定 信息
■
表面 挂载 包装
■
快 切换.
■
电池 管理
■
高 速 转变.
■
V
DS
≤
30 V
■
I
D
≤
4.7 一个
■
P
tot
≤
2W
■
R
DSon
≤
55 m
Ω
表格 1: 固定 - sot23 simpliﬁed 外形 和 标识
管脚 描述 simpliﬁed 外形 标识
1 门 (g)
SOT23
2 源 (s)
3 流 (d)
MSB003
顶 视图
12
3
s
d
g
MBB076

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PMV60EN µ trenchmos™ 增强逻辑水平的场效应晶体管 rev. 01 — 15 january 2003 产品数据 M3D088 1. 产品 proﬁle 1.1 描述 n-频道增强模式 ﬁeld-效应晶体管在一个塑料包装使用 trenchmos™ 技术. 产品有效性: pmv60en 在 sot23. 1.2 特性 1.3 产品 1.4 快涉及数据 2. 固定信息 ■ 表面挂载包装 ■ 快切换. ■ 电池管理 ■ 高速转变. ■ V DS ≤ 30 V ■ I D ≤ 4.7 一个 ■ P tot ≤ 2W ■ R DSon ≤ 55 m Ω 表格 1: 固定 - sot23 simpliﬁed 外形和标识管脚描述 simpliﬁed 外形标识 1 门 (g) SOT23 2 源 (s) 3 流 (d) MSB003 顶视图 12 3 s d g MBB076

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