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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
一个 Watt 高 电压 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级 – 发射级 电压 V
CEO
–300 Vdc
集电级 – 根基 电压 V
CBO
–300 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–500 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.0
8.0
Watt
mw/
°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
2.5
20
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
125
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
R
q
JC
50
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级 – 发射级 损坏 电压
(1)
(i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
–300 — Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= –100
µ
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
–300 — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= –100
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
–5.0 — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= –200 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
— –0.25
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= –3.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— –0.1
µ
模数转换器
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mpsw92/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MPSW92
情况 29–10, 样式 1
to–92 (to–226ae)
1
2
3
motorola preferred 设备
motorola, 公司 1998
集电级
3
2
根基
1
发射级
rev 1
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