半导体 组件 industries, llc, 2004
january, 2004
−
rev. 4
1
发行 顺序 号码:
pzt751t1/d
PZT751T1
preferred 设备
pnp 硅 planar
外延的 晶体管
这个 pnp 硅 外延的 晶体管 是 设计 为 使用 在
工业的 和 消费者 产品. 这 设备 是 housed 在 这
SOT
−
223 包装 这个 是 设计 为 中等 电源 表面
挂载 产品.
特性
•
高 电流: 2.0 一个
•
这 sot
−
223 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接.
•
SOT
−
223 包装 确保 水平的 挂载, 结果 在 改进
热的 传导, 和 准许 visual inspection 的 焊接 joints.
这 formed leads absorb 热的 压力 在 焊接, eliminating
这 possibility 的 损坏 至 这 消逝
•
npn complement 是 pzt651t1
•
铅
−
自由 包装 是有
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
集电级
−
发射级 电压 V
CEO
60 Vdc
集电级
−
根基 电压 V
CBO
80 Vdc
发射级
−
根基 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流 I
C
2.0 模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
0.8
6.4
W
mw/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 150
°
C
接合面 温度 T
J
150
°
C
热的 特性
比率 标识 值 单位
热的 阻抗 从 接合面
−
至
−
包围的 在 自由 空气
R
JA
156
°
c/w
最大 温度 为 焊接
目的
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 设备 挂载 在 一个 fr
−
4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 最小
推荐 footprint.
http://onsemi.com
SOT
−
223 包装
高 电流
pnp 硅 晶体管
表面 挂载
至
−
261AA
情况 318e
样式 1
集电级 2, 4
根基
1
发射级 3
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 包装 Shipping
订货 信息
PZT751T1 SOT
−
223 1000 / 录音带 &放大; 卷轴
PZT751T1G SOT
−
223
(铅
−
自由)
1000 / 录音带 &放大; 卷轴
标记
图解
zt 751 = 明确的 设备 代号
D = 日期 代号
D
zt 751
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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