RB715F
二极管
rev.b 1/3
shottky 屏障 二极管
RB715F
z
应用
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
含铅的 大小 图示
(单位 : mm)
低 电流 整流
z
特性
1) 小 模型 类型. (umd3)
2) 低 v
F
3) 高 可靠性.
z
构建
z
结构
jeita : sc-70
电子元件工业联合会 : sot-323
点 (年 week 工厂)
rohm : umd3
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.3±0.1
各リードとも
同寸法
(3)
1.3±0.1
（0.65）
（0.65）
(2) (1)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7±0.1
0.1min
0～0.1
各自 含铅的 有 一样 维度
UMD3
0.9min.
0.8min.
1.6
0.65
1.3
硅 外延的 planer
z
taping 维度
(单位 : mm)
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.05
2.4±0.1
2.25±0.1
0
5.5±0.2
1.25±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.1
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
标识 单位
V
RM
V
V
R
V
Io 毫安
I
FSM
毫安
Tj
℃
Tstg
℃
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
存储 温度 -40 至 +125
*1)比率 的 每 二极管
ward 电流 surge 顶峰 (60hz
・
1cyc) (*1) 200
ion 温度 125
everse 电压 (直流) 40
verage 调整的 向前 电流 30
参数 限制
everse 电压 (repetitive 顶峰) 40R
R
一个
为
Junct
(
标识 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
--0.37v
IF=1mA
I
R
--1µA
VR=10V
Ct - 2.0 - pF
vr=1v f=1mhz
情况
电容 在 terminals
ent
参数
orward voltagef
反转 curr
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