rb721q-40
二极管
rev.一个 1/3
肖特基 屏障 二极管
rb721q-40
z
产品
低 电流 整流
z
特性
1) glass sealed 封套. (msd)
2) 低 v
f,
低 i
R
3) 高 可靠性
z
构建
硅 外延的 planar
z
外部 维度
(单位 : mm)
电子元件工业联合会 : 做-34
rohm : msD
29±1 29±1
2.7±0.3
φ0.4±0.1
φ1.8±0.2
cathode 带宽 (黑色)
类型 非. (黑色)
S
2
-
z
taping 规格 s
(单位 : mm)
t-72 52.4±1.5
t-77 26.0+0.4
'-0
Ｂ 5.0±0.5
Ｃ0.5ＭＡＸ
Ｄ0
Ｅ 50.4±0.4
Ｆ0.3ＭＡＸ
G1 0.1ＭＩＮ
G2 0ＭＩＮ
H1 6.0±0.5
H2 5.0±0.5
i0.5ＭＡＸ
l1-l2 0.6ＭＡＸ
t3.2min
＊h2(6mm)：brown
注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする
記号
寸法規格値
(mm)
Ａ
一个
H2
H2
E
I
B
C
L2
L1
F
D
H1
t
H1
G2G1
IVORY
蓝
Mark
St andard 维度
值 (mm)
cf: cumulativ e 程度 容忍 和 20 程度 比 ±1.5mm
z
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
反转 电压 (repetitive 顶峰)
反转 电压 (直流)
平均 调整的 forw
F
接合面 温度
存储 温度
标识 单位
V
RM
V
V
R
V
Io 毫安
I
FSM
毫安
Tj
℃
Tstg
℃
参数
ard 电流
限制
40
30
40
orward 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
200
125
-40 至 +125
z
电的 特性
(ta = 25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位
orward 电压
V
F
- - 0.37 V
I
F
=1mA
I
R
--0.5µa
V
R
=25V
Ct - 2.0 - pF
V
R
=1v , f=1mhz
情况
een terminals
参数
F
电容 betw
反转 电流
: 点此下载
