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资料编号:577122
 
资料名称:IRF8010
 
文件大小: 494.75K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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注释
通过
是 在 页 8
www.irf.com 1
08/23/02
IRF8010
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
100V 15m
80A
pd - 94497
至-220ab
产品
高 频率 直流-直流 转换器
ups 和 发动机 控制
益处
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
典型 r
ds(在)
= 12m
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 W
直线的 减额 因素 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
v/ns
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw n•m (lbf•in)
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.57
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 情况 )
1.1(10)
最大值
80
57
320
260
1.8
± 20
16
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