IRFB4215
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.56
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 40
热的 阻抗
www.irf.com 1
V
DSS
= 60v
R
ds(在)
= 9.0m
Ω
I
D
= 115a
S
D
G
先进的 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 极其 低
在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快
切换 速 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
优化 为 smps 产品
描述
pd - 95884
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 115
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 81 一个
I
DM
搏动 流 电流
360
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 270 W
直线的 减额 因素 1.8 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
I
AR
avalanche 电流
85 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
18 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
4.7 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
至-220ab
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