11
735
Ta=25
O
C
标识 比率 单位
Vdss -20 V
Vgss 12 V
Id -5 一个
Idp -20 一个
Idr -5 一个
Pd 2.5 W
Tch 150
O
C
Tstg -55 ~ 150
O
C
( 便条 ) : 当 执行 在 一个 glass 环氧的 pcb
存储 温度
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
流 - 源 电压
门 - 源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
参数
+
◆
p-频道 电源 mos 场效应晶体管
◆
dmos 结构
◆
低 在-状态 阻抗 : 0.075
Ω
(最大值)
◆
过激 高-速 切换
◆
sop-8 包装
●
notebook pcs
●
cellular 和 可携带的 phones
●
在-板 电源 供应
●
li-ion 电池 系统
这 xp132a1275sr 是 一个 p-频道 电源 mos 场效应晶体管 和 低 在-状态
阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
因为高-速切换是可能,这IC能是efficiently设置
因此 节省 活力.
这 小 sop-8 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
低 在-状态 阻抗
: rds (在) = 0.075
Ω
( vgs = -4.5v )
: rds (在) = 0.115
Ω
( vgs = -2.5v )
过激 高-速 切换
运算的 电压
: -2.5v
高 密度 挂载
: sop-8
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