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资料编号:599412
 
资料名称:SC1205CS
 
文件大小: 128.23K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED SYNCHRONOUS POWER MOSFET DRIVER
 
 


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SC1205
高 速 同步的 电源
场效应晶体管 驱动器
© 1999 semtech corp. 652 mitchell road 新bury 园区 ca 91320
初步的 - 12月 7, 1999
1
块 图解管脚 配置
顶 视图
(所以-8)
描述
这 sc1205 是 一个 费用 effective 双 场效应晶体管 driver
设计 为 切换 高 和 低 一侧 电源
mosfets. 各自 驱动器 是 有能力 的 driving 一个
3000pf 加载 在 20ns 上升/下降 时间 和 有 一个 20ns 最大值
传播 延迟 从输入 转变 至 这 门 的
这 电源 场效应晶体管’s. 一个 内部的 overlap 保护 cir-
cuit prevents shoot-通过 从 vin
至 地 在 这
主要的 切换 和 同步的 场效应晶体管’s. 这
Overlap 保护 电路 确保 这 bottom 场效应晶体管
做 不 转变 在 直到 这 顶 场效应晶体管 源 有 reached
一个 voltage 低 足够的 至 prevent 交叉-传导.
这 高 电流 drive capability (2a顶峰) 准许 快
切换, 因此 减少 切换 losses 在 高
(1mhz) pwm frequencies. 这 高 voltage cmos
处理 准许 运作 从5-25 伏特 在 顶 mos-
场效应晶体管 流, 因此 制造 sc1205 合适的 为 电池
powered 产品. 连接 使能 管脚 (en) 至
逻辑 低 shuts 向下 两个都 drives 和 减少 operat-
ing 电流 至 较少 比 10ua.
一个 下面-电压-锁-输出 电路 是 包含 至 guar-
antee 那 两个都 驱动器 输出 是 低 当 这 5v
逻辑 level 是 较少 比 或者 equal 至 4.4v (典型值) 在 供应
ramp 向上 (4.35v 在 供应 ramp 向下). 一个 内部的
温度 传感器 shuts 向下 所有 drives 在 这 event
的 overtemperature. sc1205 是 fabricated utilizing
cmos 技术 f或者 低 安静的 电流. 这
sc1205 是 offered 在 一个 标准 所以-8 包装.
特性
快 上升 和 下降 时间 (15ns 典型 和 3000pf
加载)
2amp 顶峰 drive 电流
14ns 最大值 传播 延迟 (bg going 低)
Adaptive 非-overlapping 门 drives provide
shoot-通过 保护
floating 顶 drive switches 向上 至 25v
下面-电压 锁-输出
Overtemperature 保护
较少 比 10ua 供应 电流 当 en 是 低
低 费用
APPLICATIONS
高 密度 sunchronous 电源 供应
发动机 drives/类-d amps/half 桥 drivers
高 频率 (至 1.2 mhz) 运作 准许 使用
的 小 inductors 和 低 费用 caps 在 放置 的
electrolytics
可携带的 计算机
电池 powered 产品
电话:805-498-2111 传真:805-498-3804 web:http://www.semtech.com
设备
(1)
包装 温度 范围 (t
J
)
SC1205CS 所以-8 0 - 125°c
订货 信息
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