polyfet rf 设备
SC701
10
单独的 结束
交流
32.0
3.0
50.0
2.80
c/w
65
1.2
7.00
1.0
85
0.85
2.50
3.5
60
0.10
70
参数标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
一般 源 电源 增益
流 效率
总的
设备
消耗
接合面 至
情况 热的
阻抗
最大
接合面
温度
存储
温度
直流 流
电流
流 至
源
电压
门 至
源
电压
-65 c 至 150 c200 c 一个 V
加载 mismatch 容忍VSWR
流 至
门
电压
20:1 相关的
0.20
20.00ids = 毫安, vgs = 0v
v, vgs = 0v
Ciss
Crss
Coss
vds =
idq = 一个, vds = v, f =
0.20
Bvdss
Idss
流 损坏 电压
V
毫安
pF
pF
pF
一般 源 输出 电容
一般 源 反馈 电容
idq =
idq = 0.20
500
vgs = 20v, ids =Rdson 饱和 阻抗
向前 跨导gM vds = 10v, vgs = 5v
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
500
500
一般 源 输入 电容
70 V
Igss
Vgs
Idsat
零 偏差 流 电流
门 泄漏 电流
门 偏差 为 流 电流
饱和 电流
1 7
uA
V
Mho
Ohm
放大
参数标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
电的 特性 ( 各自 一侧 )
rf 特性 (
20.0
绝对 最大 比率 ( t =
Gps
28.0
一个, vds = v, f =
一个, vds = v, f =
28.0
28.0
Watts V
1
MHz
MHz
MHz
Watts
包装 样式
20.0
vds = 0v vgs = 30v
vgs = 20v, vds = 10v
高 效率, 直线的
高 增益, 低 噪音
一般 描述
28.0
vds =
一个, vgs = vdsids =
一个
η
dB
%
o
o
oo
o
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 specifically
为 broadband rf 产品.
合适的 为 militry 收音机,
cellular 和 paging 放大器 根基
stations, broadcast fm/am, mri,
激光器 驱动器 和 其他.
"polyfet" 处理 特性
低 反馈 和 输出 capacitances
结果 在 高 f 晶体管 和 高
输入 阻抗 和 高 效率.
TM
t
硅 门 增强 模式
rf 电源 晶体管VDMOS
vgs = 0v, f = 1 mhz28.0
vds =
vgs = 0v, f = 1 mhz28.0
vds =
vgs = 0v, f = 1 mhz28.0
修订 03/28/2001
20
25 c )
watts 输出 )
: 点此下载
