sf10g41a,sf10j41a
2001-07-10
1
toshiba thyristor 硅 planar 类型
sf10g41a,sf10j41a
中等 电源 控制 产品
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 :V
DRM
= 400,600v
repetitive 顶峰 反转 电压 :V
RRM
= 400,600v
平均 在
−
状态 电流 :I
t (av)
=
1
0A
门 触发 电流 :I
GT
=
1
5ma (最大值.)
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
sf10g41a 400
repetitive 顶峰
止
−
状态 电压 和
repetitive 顶峰
反转 电压
SF10J41A
V
DRM
V
RRM
600
V
sf10g41a 500
非
−
repetitive 顶峰
反转 电压
(非-repetitive<5ms,
T
j
= 0~125°c)
SF10J41A
V
RSM
720
V
平均 在
−
状态 电流
(half sine 波形 tc = 79°c)
I
t (av)
10一个
r.m.s 在
−
状态 电流 I
t (rms)
16 一个
160 (50hz)
顶峰 一个 循环 surge 在-状态
电流 (非-repetitive)
I
TSM
176 (60hz)
一个
I
2
t 限制 值 I
2
t 125 一个
2
s
核心的 比率 的 上升 的 在-状态
Curret
di / dt 100 一个 / µs
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
5 w
平均 门 电源 消耗 P
g (av)
0.5 W
顶峰 向前 门 电压 V
FGM
10 v
顶峰 反转 门 电压 V
RGM
−
5 v
顶峰 向前 门 电流 I
GM
2 一个
接合面 温度 T
j
−
40~125 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
40~125 °c
单位: mm
电子元件工业联合会 至
−
220AB
jeita sc
−
46
toshiba 13
−
10G1B
重量: 2g
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