©2002 仙童 半导体 公司 sgl60n90dg3 rev. a1
IGBT
SGL60N90DG3
SGL60N90DG3
一般 描述
insulated 门 双极 晶体管 (igbts) 和 一个 trench
门 结构 提供 更好的 传导 和 切换
效能 在 comparison 和 晶体管 having 一个 planar
门 结构. 它们 也 有 宽 噪音 免除. 这些
设备 是 非常 合适的 为 入门 加热 产品.
特性
• 高 速 切换
• 低 饱和 电压 : v
ce(sat)
= 2.0 v @ i
C
= 60a
• 高 输入 阻抗
• 建造-在 快 恢复 二极管
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
热的 特性
标识 描述 SGL60N90DG3 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 900 V
V
GES
门-发射级 电压
±
25 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C60 一个
集电级 电流 @ t
C
= 100
°
C42 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 120 一个
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @ t
C
= 100
°
C15 一个
P
D
M 一个 x i m u m P o w e r D i s s i p 一个 t i o n @ T
C
= 25
°
C 180 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C72 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
(igbt) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.69
°
C
/
W
R
θ
JC
(二极管) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 2.08
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 25
°
C
/
W
产品
home 器具, 入门 heaters, 入门 加热 jars, 和 微波 ovens.
G
C
E
至-264
G
C
E
G
C
E
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