©2002 仙童 半导体 公司 sgw5n60ruf rev. a1
IGBT
SGW5N60RUF
SGW5N60RUF
短的 电路 评估 igbt
一般 描述
仙童's ruf 序列 的 insulated 门 双极 晶体管
(igbts) 提供 低 传导 和 切换 losses 作
好 作 短的 电路 强壮. 这 ruf 序列 是
设计 为 产品 此类 作 发动机 控制,
uninterrupted 电源 供应 (ups) 和 一般 反相器
在哪里 短的 电路 强壮 是 一个 必需的 特性.
特性
• 短的 电路 评估 10us @ t
C
= 100
°
c, v
GE
= 15v
• 高 速 切换
• 低 饱和 电压 : v
ce(sat)
= 2.2 v @ i
C
= 5a
• 高 输入 阻抗
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
热的 特性
注释 :
(2) 挂载 在 1” squre pcb (fr4 或者 g-10 材料)
标识 描述 SGW5N60RUF 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 600 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C8 一个
集电级 电流 @ t
C
= 100
°
C5 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 15 一个
T
SC
短的 电路 承受 时间 @ t
C
= 100
°
C10 美国
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C60 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C25 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 2.0
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
(2)
-- 40
°
C
/
W
产品
交流 &放大; 直流 发动机 控制, 一般 目的 反相器, robotics, 和 伺服 controls.
G
C
E
G
C
E
G
E
C
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