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初步的
eds-101241 rev 一个
产品 描述
1
初步的
shf-0289
直流-3 ghz, 1.0 watt
gaas hfet
产品 特性
•
专利的 gaas heterostructure 场效应晶体管
技术
•
+30dbm 输出 电源 在 1db 压缩
•
+46dbm 输出 ip3
•
高 流 效率: 向上 至 40% 在 类 ab
•
13 db 增益 在 900mhz (应用 电路)
•
13 db 增益 在 1900mhz (应用 电路)
产品
•
相似物 和 数字的 无线的 系统
•
cellular pcs, cdpd, 无线的 数据, pagers
电的 规格 在 ta = 25
o
C
stanford microdevices’ shf-0289 序列 是 一个 高 效能
gaas heterostructure 场效应晶体管 housed 在 一个 低-费用 表面-挂载
塑料 包装. hfet 技术 改进 损坏 电压
当 降低 肖特基 泄漏 电流 为 高等级的 电源 增加
效率 和 改进 线性.
输出 电源 在 1db 压缩 为 这 shf-0289 是 +30dbm
当 片面的 为 类 ab 运作 在 8v 和 250ma. 这
+46 dbm 第三 顺序 intercept 制造 它 完美的 为 高 动态
范围, 高 intercept 要点 (所需的)东西. 它们 是 好 suited
为 使用 在 两个都 相似物 和 数字的 无线的 交流
infrastructure 和 subscriber 设备 包含 cellular pcs,
cdpd, 无线的 数据, 和 pagers.
足够的 热温 sinking 必须 是 提供 为 这个 部分 至 避免
exceeding 这 最大 接合面 温度. 方法 包含
这 使用 的 screws near 这 设备, 和 filled vias beneath 这
部分 至 这 地面 平面. 谈及 至 “mounting 和 热的
considerations” 部分 在 页 7 为 更多 信息.
这 信息 提供 在此处 是 相信 至 是 可依靠的 在 press 时间. stanford microdevices 假设 非 责任 为 不精确 或者 省略.
stanford microdevices 假设 非 责任 为 这 使用 的 这个 信息, 和 所有 此类 信息 将要 是 全部地 在这 用户’s 自己的 风险. 价格 和 规格 是 主题 至 改变
没有 注意. 非 专利权 权利 或者 许可 至 任何 的 这 电路 描述 在此处 是 暗指 或者 准予 至 任何 第三 群. stanford microdevices 做 不 授权 或者 授权 任何 stanford
microdevices 产品 为 使用 在 生命-支持 设备 和/或者 系统.
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频率 (ghz)
0
5
10
15
20
25
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
G
最大值
(db)
最大 有 增益 vs 频率
vds = 8v, idq = 250ma
lobmyS snoitidnoctset:sretemarap stinU .nim .pyt .xam
S|
12
|
2
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S
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L
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Bd
7.71
5.21
G
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S
Z=
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L
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zhg9.1=f
Bd
32
02
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zhg9.0=f
zhg9.1=f
mBd
mBd
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64
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