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资料编号:607636
 
资料名称:SI1400DL
 
文件大小: 43.18K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si1400DL
vishay siliconix
文档 号码: 71179
s-05630—rev. b, 11-二月-02
www.vishay.com
1
n-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管

V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.150 @ v
GS
= 4.5 v
1.7
20
0.235 @ v
GS
= 2.5 v 1.3
sot-363
sc-70 (6-leads)
6
4
1
2
3
5
顶 视图
D
D
G
D
D
S
标记 代号
ND XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
YY



参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
门-源 电压 V
GS
12
V
一个
T
一个
= 25
C
1.7
1.6
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
1.2 1.0
搏动 流 电流 I
DM
5
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
0.8 0.8
T
一个
= 25
C 0.625 0.568
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
0.40 0.295
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C

参数 标识 典型 最大 单位
t
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
180 220
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
105 130
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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