Si5853DC
Vishay Siliconix
文档 号码: 71239
s-21251—rev. b, 05-8月-02
www.vishay.com
2-1
p-频道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
场效应晶体管 产品 SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
Ω
) I
D
(一个)
0.110 @ V
GS
=--4.5v -- 3 . 6
-- 2 0
0.160 @ V
GS
=--2.5v -- 3 . 0
0.240 @ V
GS
=--1.8v -- 2 . 4
肖特基 产品 SUMMARY
V
KA
(v)
V
f
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
20 0.48 V @ 0.5 一个 1.0
Bottom 视图
1206-8 ChipFE
T
t
一个
一个
S
G
K
K
D
D
1
标记 代号
JA XX
Lot Traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
K
一个
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
订货 信息:
si5853dc-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
=25
_
C 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 (场效应晶体管 和 肖特基) V
DS
-- 2 0
反转 电压 (肖特基) V
KA
20
V
门-源 电压 (场效应晶体管) V
GS
8
8
V
持续的 流 电流 (t
J
= 150
_
c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
=25
_
C
I
D
-- 3 . 6
-- 2 . 7
C在tinuous Dra在 Current (t
J
= 150
_
c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
=85
_
C
I
D
-- 2 . 6 -- 1 . 9
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
-- 1 0
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个
I
S
-- 1 . 8 -- 0 . 9
一个
平均 Foward 电流 (肖特基) I
F
1.0
搏动 Foward 电流 (肖特基) I
FM
7
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
=25
_
C 2.1 1.1
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
=85
_
C
P
D
1.1 0.6
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
=25
_
C
P
D
1.3 0.96
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
=85
_
C 0.68 0.59
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
,t
stg
--55 至 150
_
C
焊接 Recommendations (顶峰 温度)
b, c
260
_
C
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x1” FR4 板.
b. 看 可靠性 Manual 为 profile. 这 ChipFET 是 一个 无铅 包装. 这 终止 的 这 含铅的 终端 是 exposed 铜 (不 镀有) 作 一个 结果 的 这 singulation
处理 在 制造. 一个 焊盘 fillet 在 这 exposed copper tip 不能 是 有保证的 和 是 不 必需的 至 确保 足够的 bottom 一侧 焊盘 intercon-
nection.
c. Rework 情况: 手工的 焊接 和 一个 焊接 iron 是 不 推荐 为 无铅 组件.
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