Si6954ADQ
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71130
s-00013—rev. 一个, 24-jan-00
www.siliconix.com
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1
n-频道 2.5-v (g-s) 电池 转变
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.053 @ v
GS
= 10 v 3.4
30
0.075 @ v
GS
= 4.5 v 2.9
Si6954ADQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
tssop-8
顶 视图
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
G
2
S
2
n-频道 场效应晶体管
D
1
D
2
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
3.4 3.1
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
2.7 2.5
一个
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度) I
DM
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
0.83 0.69
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.0 0.83
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.96 0.53
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10 秒
R
thJA
90 125
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
126 150
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
65 80
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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