首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:608135
 
资料名称:SI6928DQ
 
文件大小: 160.09K
   
说明
 
介绍:
Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI6928DQ的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI6928DQ的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI6928DQ的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI6928DQ的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
october 2001
2001 仙童 半导体 公司
si6928dq rev b(w)
SI6928DQ
双 30v n-频道 powertrench

场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 是 一个 坚毅的 门 版本 的
仙童 半导体’s 先进的 powertrench
处理. 它 有 被 优化 为 电源 管理
产品
加载 转变
发动机 驱动
直流/直流 转换
电源 管理
特性
4 一个, 30 v. R
ds(在)
= 35 m
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 50 m
@ v
GS
= 4.5 v
扩展 v
GSS
范围 (
±
20v) 为 电池 产品
低 门 承担
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
低 profile tssop-8 包装
D
1
S
1
S
1
G
1
D
2
S
2
S
2
G
2
tssop-8
管脚 1
8
7
6
5
1
2
3
4
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
4.0 一个
– 搏动 20
P
D
最大 电源 消耗
(便条 1a)
1.3 W
(便条 1b)
1.0
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
100
°
c/w
(便条 1b)
125
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
6928 si6928dq 13’’ 12mm 3000 单位
SI6928DQ
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com