特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
低 r
ds(在)
pwm (q
gd
和 r
G
) 优化
产品
低 输出 电压 同步的 整流器
Si7868DP
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71849
s-03130—rev. b, 22-jan-03
www.vishay.com
1
n-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
0.00225 @ v
GS
= 10 v 29
20
0.00275 @ v
GS
= 4.5 v 25
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK
所以-8
bottom 视图
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
门-源 电压 V
GS
16
V
T
一个
= 25
C
29 18
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
25 14
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度)
I
DM
60
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
4.5 1.6
T
一个
= 25
C
5.4 1.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
3.4 1.2
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 18 23
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
50 65
c/w
最大 接合面-至-情况 (流) 稳步的 状态 R
thJC
1.0 1.5
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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