sm1g43,sm1j43
2001-07-10
1
toshiba bi
−
directional triode thyristor 硅 planar 类型
sm1g43,sm1j43
交流 电源 控制 产品
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 :V
DRM
= 400, 600v
r.m.s 在
−
状态 电流 :I
t (rms)
=
1
一个
higt commutating (dv / dt)
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
sm1g43 400
repetitive 顶峰
止
−
状态 电压
SM1J43
V
DRM
600
V
r.m.s 在
−
状态 电流
(全部 sine 波形 tc = 74°c)
I
t (rms)
1.0 一个
8 (50hz)
顶峰 一个 循环 surge 在
−
状态
电流 (非-repetitive)
I
TSM
8.8 (60hz)
一个
I
2
t 限制 值 I
2
t 0.32 一个
2
s
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
1 w
平均 门 电源 消耗 P
g (av)
0.1 W
顶峰 门 电压 V
GM
6 v
顶峰 门 电流 I
GM
0.5 一个
接合面 温度 T
j
−
40~125 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
40~125 °c
单位: mm
电子元件工业联合会 至
−
92
jeita sc
−
43
toshiba 13
−
5A1E
重量: 0.2g
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