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资料编号:619821
 
资料名称:SPA11N60C2
 
文件大小: 160.17K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-08-12
页 1
spp11n60c2, spb11n60c2
SPA11N60C2
最终 数据
cool mos™
电源 晶体管
特性
新 revolutionary 高 电压 技术
过激 低 门 承担
periodic avalanche 评估
extreme d
v
/d
t
评估
过激 低 有效的 capacitances
产品 summary
650 V
R
ds(在)
0.38
I
D
11 一个
V
DS
@
T
jmax
p-to220-3-31 p-to220-3-1p-to263-3-2
p-to220-3-31
1
2
3
标记
11N60C2
11N60C2
11N60C2
类型 包装 订货 代号
SPP11N60C2 p-to220-3-1 q67040-s4295
SPB11N60C2 p-to263-3-2 q67040-s4298
SPA11N60C2 p-to220-3-31 q67040-s4332
最大 比率
参数 标识 单位
SPA
持续的 流 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 100 °c
I
D
11
7
11
1)
7
1)
一个
搏动 流 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
d puls
22 22 一个
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
=5.5a,
V
DD
=50V
E
340 340 mJ
avalanche 活力, repetitive
t
AR
限制 用
T
jmax
2)
I
D
=11a,
V
DD
=50V
E
AR
0.6 0.6
avalanche 电流, repetitive
t
AR
限制 用
T
jmax
I
AR
11 11 一个
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
= 11 一个,
V
DS
<
V
DD
, d
i
/d
t
=100a/
µ
s,
T
jmax
=150°C
d
v
/d
t
6 6 v/ns
门 源 电压
V
GS
±20 ±20 V
门 源 电压 交流 (f >1hz)
V
GS
±
30
±
30
电源 消耗,
T
C
= 25°c
P
tot
125 33 W
spp_b
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55...+150 °C
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