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SSM3J01F
2003-03-27
1
 toshiba 地方 效应 晶体管  硅 p 频道 mos 类型
SSM3J01F
高 速 切换 产品

小 包装

低 在 阻抗 : ron = 0.4
Ω
(最大值) (v
GS
=
−
4 v)
  : ron = 0.6
Ω
(最大值) (v
GS
=
−
2.5 v)

低 门 门槛 电压
最大 比率
(ta



25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DS

30 v
门-源 电压 V
GSS

10 v
直流 i
D

700
流 电流
脉冲波 i
DP

1400
毫安
流 电源 消耗 (ta

25°c) P
D
200 mw
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg

55~150 °c
标记  相等的 电路
处理 precaution
当 处理 单独的 设备 (这个 是 不 还 挂载 在 一个 电路 板), 是 确信 那 这 环境
是 保护 相反 静电的 electricity. operators 应当 wear 反对-静态的 clothing, 和 containers 和 其它
物体 那 来到 在 直接 联系 和 设备 应当 是 制造 的 反对-静态的 材料.
单位: mm
电子元件工业联合会 至-236mod
jeita sc-59
toshiba 2-3f1f
重量: 0.012 g (典型值.)

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SSM3J01F 2003-03-27 1 toshiba 地方效应晶体管硅 p 频道 mos 类型 SSM3J01F 高速切换产品  小包装  低在阻抗 : ron = 0.4 Ω (最大值) (v GS = − 4 v) : ron = 0.6 Ω (最大值) (v GS = − 2.5 v)  低门门槛电压最大比率 (ta    25°c) 特性标识比率单位流-源电压 V DS  30 v 门-源电压 V GSS  10 v 直流 i D  700 流电流脉冲波 i DP  1400 毫安流电源消耗 (ta  25°c) P D 200 mw 频道温度 T ch 150 °c 存储温度范围 T stg  55~150 °c 标记相等的电路处理 precaution 当处理单独的设备 (这个是不还挂载在一个电路板), 是确信那这环境是保护相反静电的 electricity. operators 应当 wear 反对-静态的 clothing, 和 containers 和其它物体那来到在直接联系和设备应当是制造的反对-静态的材料. 单位: mm 电子元件工业联合会至-236mod jeita sc-59 toshiba 2-3f1f 重量: 0.012 g (典型值.)

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