©2003 硅 存储 技术, 公司
s71233-01-000 8/03
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
特性:
• 单独的 2.7-3.6v 读 和 写 行动
• 串行 接口 architecture
– spi 兼容: 模式 0 和 模式 3
• 20 mhz 最大值 时钟 频率
• 更好的 可靠性
– 忍耐力: 100,000 循环 (典型)
– 更好 比 100 年 数据 保持
• 低 电源 消耗量:
– 起作用的 读 电流: 7 毫安 (典型)
– 备用物品 电流: 8 µa (典型)
• 有伸缩性的 擦掉 能力
– uniform 4 kbyte sectors
– uniform 32 kbyte overlay blocks
• 快 擦掉 和 字节-程序:
– 碎片-擦掉 时间: 70 ms (典型)
– sector- 或者 块-擦掉 时间: 18 ms (典型)
– 字节-程序 时间: 14 µs (典型)
• 自动 地址 increment (aai) 程序编制
– decrease 总的 碎片 程序编制 时间 在
字节-程序 行动
• 终止-的-写 发现
– 软件 状态
• 支撑 管脚 (hold#)
– suspends 一个 串行 sequence 至 这 记忆
没有 deselecting 这 设备
• 写 保护 (wp#)
– 使能/使不能运转 这 锁-向下 函数 的 这
状态 寄存器
• 软件 写 保护
– 写 保护 通过 块-保护 位 在
状态 寄存器
• 包装 有
– 8-含铅的 soic (4.9mm x 6mm)
– 8-联系 wson
产品 描述
sst’s 串行 flash 家族 特性 一个 四-线, spi-com-
patible 接口 那 准许 为 一个 低 管脚-计数 包装
occupying 较少 板 空间 和 ultimately lowering 总的
系统 costs. sst25vf010 spi 串行 flash 记忆 是
制造的 和 sst’s 专卖的, 高 效能
cmos superflash 技术. 这 分割-门 cell 设计
和 厚-oxide tunneling injector attain 更好的 可靠性
和 manufacturability 对照的 和 alternate
approaches.
这 sst25vf010 设备 significantly 改进 perfor-
mance, 当 lowering 电源 消耗量. 这 总的
活力 consumed 是 一个 函数 的 这 应用 电压,
电流, 和 时间 的 应用. 自从 为 任何 给 volt-
age 范围, 这 superflash 技术 使用 较少 电流
至 程序 和 有 一个 shorter 擦掉 时间, 这 总的 活力
consumed 在 任何 擦掉 或者 程序 运作 是 较少
比 alternative flash 记忆 科技. 这
sst25vf010 设备 运作 和 一个 单独的 2.7-3.6v
电源 供应.
这 sst25vf010 设备 是 offered 在 两个都 8-含铅的 soic
和 8-联系 wson 包装. 看 图示 1 为 这 管脚
assignments.
1 mbit spi 串行 flash
SST25VF010
sst25vf0101 mb 串行 附带的 接口 (spi) flash 记忆
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