特性
直接 替换 为siliconix j/sst174 序列
低 在 阻抗 r
ds(在)
≤
85
Ω
低 门 运行 电流 I
d(止)
= 10pa
绝对 最大 比率
1
@ 25 °c (除非 否则 陈述)
最大 温度
存储 温度 -55 至 150°c
接合面 运行 温度 -55 至 135°c
最大 电源消耗
持续的 电源 消耗 350mW
最大 电流
门 电流 I
G
= -50ma
最大 电压
门 至 流 电压 V
GDS
= 30v
门 至 源 电压 V
GSS
= 30v
一般 电的 特性 @ 25 °c (除非 否则 陈述)
标识 典型的 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
GSS
门 至 源 损坏 电压 30 I
G
= 1µa, v
DS
= 0v
V
gs(f)
门 至 源 forward 电压 -0.7
V
I
G
= -1ma, v
DS
= 0v
I
GSS
门 反转 电流 0.01 1 V
GS
= 20v, v
DS
= 0v
I
G
门 运行 电流 0.01 V
DG
= -15v, i
D
= -1ma
I
d(止)
流 截止 电流 -0.01 -1
nA
V
DS
= -15v, v
GS
= 10v
明确的 电的 特性@ 25 °c (除非 否则 陈述)
j/sst174 j/sst175 j/sst176 j/sst177
标识 典型的
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 情况
V
gs(止)
门 至 源
截止 电压
5 10 3 6 1 4 0.8 2.25 v v
DS
= -15v, i
D
= -10na
I
DSS
流 至 源
饱和 电流
-20 -135 -7 -70 -2 -35 -1.5 -20毫安V
DS
= -15v, v
GS
= 0v
r
ds(在)
流 至 源
在 阻抗
85 125 250 300
Ω
V
GS
= 0v, v
DS
= -0.1v
sst 序列
1
2
3
sot-23
顶 视图
D
G
S
j 序列
至-92
bottom vie
W
123
DGS
直线的 整体的 系统s
j/sst174 序列
单独的 p-频道
jfet 转变
直线的 整体的 系统s
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