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资料编号:626112
 
资料名称:STD6NF10
 
文件大小: 266.33K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 100V - 0.22 ohm - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1/9六月 2001
.
STD6NF10
n-频道 100v - 0.22
- 6a ipak/dpak
低 门 承担 stripfet™ 电源 场效应晶体管
典型 r
DS
(在) = 0.22
exceptional dv/dt 能力
100% avalanche 测试
低 门槛 驱动
通过-孔 ipak (至-251) 电源
表面-挂载 dpak (至-252)
电源 包装 在 录音带 &放大; 卷轴
(后缀 “t4")
描述
这个 场效应晶体管 序列 认识到 和 意法半导体
唯一的 stripfet 处理 有 specifically 被 设计
至 降低 输入 电容 和 门 承担. 它 是
因此 合适的 作 primary 转变 在 先进的 高-
效率, 高-频率 分开的 直流-直流 转换器 为
电信 和 计算机 产品. 它 是 也 将
为 任何 产品 和 低 门 驱动 (所需的)东西.
产品
高-效率 直流-直流 转换器
ups 和 发动机 控制
类型
V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD6NF10 100 v <0.250
6 一个
3
2
1
1
3
IPAK
至-251
(后缀 “-1”)
DPAK
至-252
(后缀 “t4”)
绝对 最大 比率
(
•)
脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
(1) i
SD
6a, di/dt
300a/µs, v
DD
V
(br)dss
, t
j
T
JMAX
(2) 开始 t
j
= 25
o
c, i
D
= 3a, v
DD
= 50v
标识 参数 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
100 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
)
100 V
V
GS
门- 源 电压
± 20 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
6A
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
4A
I
dm(
•)
流 电流 (搏动) 24 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
30 W
减额 因素 0.2 w/°c
dv/dt
(1)
顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 40 v/ns
E
(2)
单独的 脉冲波 avalanche 活力 200 mJ
T
stg
存储 温度
-65 至 175 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度
内部的 图式 图解
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