STM4973_集成电路资料查询网

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-30 DualP -C hannelE nhancementModeF ieldE ffectTrans是tor S urface挂载P 一个ckage. 一个BS OLUTE M一个XIMUMR 在ING S (T 一个 =25C unlessotherwise便条d) P 一个rameter S ymbol Limit Unit Dra在-s ourceVoltage V DS V G 一个te-s ourceVoltage V G S 20 V Dra在C urrent-c ontinuous@ T J =25C -p ulsed I D -6 -30 -1.7 2 一个一个一个 W I DM Dra在-s ourceDiodeF orwardC urrent I S 毫安ximumP owerD是sipation P D OperatingJ unction一个ndS torage TemperatureR 一个nge T J ,T S TG -55至150 C THE R M一个LC H一个R 一个C TE R IS TIC S ThermalR es是tance,J unction-至-一个mbient R J 一个 62.5 /w C 一个一个一个一个 b S 一个mH运算微电子学C orp. S E P .82004 1 PR ODUC TS UMMAR Y V DS S I D R DS (oN) (m W )毫安x -30v -6a 35@ V G S =-10v 50@ V G S =-4.5V FE 在UR E S S uper高densecelldesign为低R DS (oN ). R ugged一个ndreliable. S O-8 1 S 1 G 1 S 2 G 2 D1 D1 D2 D2 1 2 3 4 8 7 6 5 S TM4973

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