1/12may 2003
STP11NM60 - STP11NM60FP
STB11NM60 - stb11nm60-1
n-频道 600V - 0.4
Ω
-11a 至-220/至-220fp/d
2
pak/i
2
PAK
MDmesh™Power 场效应晶体管
(*)限制 仅有的 用 最大 温度 允许
(1)i
SD
<11a, di/dt<400a/µs, V
DD
<v
(br)dss
,t
J
<t
JMAX
典型 R
DS
(在) = 0.4
Ω
高 dv/dt 和 AVALANCHE 能力
100% AVALANCHE 测试
低 输入 电容 和 门
承担
低 门 输入 阻抗
描述
这 MDmesh™ 是 一个 新 revolutionary 场效应晶体管
技术 那 associates 这 多样的 流 pro-
cess 和 这 Company’s PowerMESH™ horizontal
布局. 这 结果 产品 有 一个 优秀的 低
在-阻抗, impressively 高 dv/dt 和 极好的
avalanche 特性. 这 adoption 的 这
Company’s 专卖的 strip 技巧 产量 整体的
动态 效能 那 是 significantly 更好的 比
那 的 类似的 competition’s 产品.
产品
这 MDmesh™ 家族 是 非常 合适的 为 增加
电源 密度 的 高 电压 转换器 准许
系统 miniaturization 和 高等级的 efficiencies.
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP11NM60
STP11NM60FP
STB11NM60
stb11nm60-1
600 V
600 V
600 V
600 V
< 0.45
Ω
< 0.45
Ω
< 0.45
Ω
< 0.45
Ω
11 一个
11 一个
11 一个
11 一个
标识 参数 值 单位
stp(b)11nm60(-1) STP11NM60FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
600 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
600 V
V
GS
门- 源 电压 ±30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 25°C
11 11 (*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 100°C
7 7 (*) 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 44 44 (*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
160 35 W
减额 因素 1.28 0.28 w/°c
dv/dt(1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 15 v/ns
V
ISO
绝缘 Winthstand 电压 (直流) -- 2500 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
至-220
1
2
3
1
2
3
I
2
PA K
1
2
3
至-220fp
1
3
D
2
PAK
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