1/9六月 2004
STS8DNH3LL
双 n-频道 30v - 0.018
Ω
- 8a 所以-8
低 门 承担 stripfet™ iii 电源 场效应晶体管
rev.0.2
■
典型 r
DS
(在) = 0.018
Ω
■
最优的 r
DS
(在) x qg trade-止 @ 4.5v
■
传导 losses 减少
■
切换 losses 减少
描述
这个 应用 明确的 场效应晶体管 是 这 第三 一代
的 stmicroelectronis 唯一的 "单独的 特性 size™"
strip-为基础 处理. 这 结果 晶体管 显示 这
最好的 trade-止 在 在-阻抗 和 门 承担.
当 使用 作 高 和 低 一侧 在 buck regulators, 它
给 这 最好的 效能 在 条款 的 两个都 传导
和 切换 losses. 这个 是 极其 重要的 为
motherboards 在哪里 快 切换 和 高 效率
是 的 paramount 重要.
产品
■
specifically 设计 和 optimised
为 高 效率 cpu 核心 直流/直流
转换器 为 mobile pc
S
订货 信息
类型
V
DSS
R
ds(在)
I
D
STS8DNH3LL 30 v <0.022
Ω
8 一个
销售 类型 标记 包装 包装
STS8DNH3LL S8DNH3LL 所以-8 录音带 &放大; 卷轴
所以-8
绝对 最大 比率
(
•)
脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
30 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
30 V
V
GS
门- 源 电压 ± 16 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
8A
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
5A
I
DM
(
•)
流 电流 (搏动) 32 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
2W
内部的 图式 图解
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