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数据 薄板 acquired 从 harris 半导体
SCHS195C
特性
• 同时发生的 和 独立 读 和 写
行动
• expandable 至 512 words 的 n-位
• 三-状态 输出
• 有组织的 作 4 words x 4 位 宽
• 缓冲 输入
• 典型 读 时间 = 16ns 为 ’hc670 v
CC
= 5v, c
L
=
15pf, t
一个
= 25
o
C
• 输出 (在 温度 范围)
- 标准 输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 lsttl 负载
- 总线 驱动器 输出 . . . . . . . . . . . . . 15 lsttl 负载
• 宽 运行 温度 范围 . . . -55
o
c 至 125
o
C
• 保持平衡 传播 延迟 和 转变 时间
• significant 电源 减少 对照的 至 lsttl
逻辑 ics
• hc 类型
- 2v 至 6v 运作
- 高 噪音 免除: n
IL
= 30%, n
IH
= 30% 的 v
CC
在 v
CC
= 5v
• hct 类型
- 4.5v 至 5.5v 运作
- 直接 lsttl 输入 逻辑 兼容性,
V
IL
= 0.8v (最大值), v
IH
= 2v (最小值)
- cmos 输入 兼容性, i
l
≤
1
µ
一个 在 v
OL
, v
OH
描述
这 ’HC670 和 CD74HCT670 是 16-位 寄存器 files
有组织的 作 4 words x 4 位 各自. 读 和 写 地址
和 使能 输入 准许 同时发生的 writing 在 一个 location
当 读 另一. 四 数据 输入 是 提供 至 store
这 4-位 文字. 这 写 地址 输入 (wa0 和 wa1)
决定 这 location 的 这 贮存 文字 在 这 寄存器.
当 写 使能 (
我们) 是 低 这 文字 是 entered 在 这
地址 location 和 它 仍然是 transparent 至 这 数据. 这
输出 将 反映 这 真实 表格 的 这 输入 数据. 当 (
我们)
是 高 数据 和 地址 输入 是 inhibited. 数据 acquisition
从 这 四 寄存器 是 制造 可能 用 这 读 地址
输入 (ra1 和 ra0). 这 addressed 文字 呈现 在 这
输出 当 这 读 使能 (
re) 是 低. 这 输出 是 在 这
高 阻抗 状态 当 这 (
re) 是 高. 输出 能 是
系 一起 至 增加 这 文字 capacity 至 512 x 4 位.
引脚
CD54HC670
(cerdip)
cd74hc670, cd74hct670
(pdip, soic)
顶 视图
订货 信息
部分 号码
温度 范围
(
o
c) 包装
CD54HC670F3A -55 至 125 16 ld cerdip
CD74HC670E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HC670M -55 至 125 16 ld soic
CD74HC670MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HC670M96 -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HCT670M -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT670M96 -55 至 125 16 ld soic
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码. 这 suffix 96
denotes 录音带 和 卷轴. 这 suffix T denotes 一个 小-quantity 卷轴 的
250.
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D1
D2
D3
RA1
RA0
Q3
地
Q2
V
CC
WA0
WA1
我们
RE
Q0
Q1
D0
january 1998 - 修订 october 2003
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 恰当的 ic 处理 程序.
版权
©
2003, 德州 器械 组成公司的
cd54hc670, cd74hc670,
CD74HCT670
高-速 cmos 逻辑
4x4 寄存器 文件
[ /标题
(cd74h
c670,
CD74H
ct670)
/主题
(高-
速
CMOS
逻辑
4x4 reg-
ister
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