将 1998 ed : 1a
®
标识 参数 值 单位
I
t(rms)
rms 在-状态 电流
(360
°
传导 角度)
tc =110
°
C8 一个
I
TSM
非 repetitive surge 顶峰 在-状态 电流
( tj 最初的 = 25
°
c )
tp = 8.3 ms 85 一个
tp = 10 ms 80
I
2
t
I
2
t 值 为 fusing
tp = 10 ms 32 一个
2
s
di/dt
核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流
I
G
= 50ma di
G
/dt = 0.1a/
µ
s
Repetitive
f = 50 hz
20 一个/
µ
s
非
Repetitive
100
Tstg
Tj
存储 温度 范围
运行 接合面 温度 范围
- 40 至 + 150
- 40 至 + 125
°
C
°
C
T
最大 温度 为 焊接 在 10 s
260
°
C
绝对 最大 比率
标识 参数 t810-/t835- 单位
400B 600B
V
DRM
V
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压
tj = 125
°
C
400 600 V
A1
A2
A2
G
DPAK
(塑料)
t810-xxxb
t835-xxxb
高 效能 triacs
I
TRMS
= 8 一个
敏感的 门 : i
GT
≤
10ma 和 35ma
高 commutation 技术
高 i
TSM
能力
特性
这 t810-xxxb 和 t835-xxxb 序列 是 使用
高 效能 topglass pnpn 技术.
这些 设备 是 intented 为 交流 控制 applica-
tions, 使用 表面 挂载 技术 在哪里 高
commutating 和 surge performances 是 re-
quired (像 电源 tools, 固体的 状态 接转).
描述
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