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半导体 组 1
pnp 硅 晶体管 为 高 电压 smbta 92
smbta 93
最大 比率
类型 订货 代号
(录音带 和 卷轴)
标记
包装
1)
管脚 配置
smbta 92
smbta 93
q68000-a6479
q68000-a6483
s2D
s2E
sot-23
B E C
1 2 3
1)
为 详细地 信息 看 chapter 包装 轮廓.
2)
包装 挂载 在 环氧的 pcb 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm/6 cm
2
cu.
参数 标识 值 单位
发射级-根基 电压
V
EB0
集电级-根基 电压
V
CB0
接合面 温度
T
j
˚C
总的 电源 消耗,
T
S
= 74 ˚C
P
tot
mW
存储 温度 范围
T
stg
集电级-发射级 电压
V
CE0
V
热的 阻抗
接合面 - 包围的
2)
R
th ja
≤
280 k/w
5
360
150
– 65 … + 150
300 200
smbta 92 smbta 93
集电级 电流
I
C
mA500
根基 电流
I
B
100
接合面 - 焊接 要点
R
th js
≤
210
300 200
●
高 损坏 电压
●
低 集电级-发射级 饱和 电压
●
complementary 类型: smbta 42, smbta 43 (npn)
5.91

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半导体组 1 pnp 硅晶体管为高电压 smbta 92 smbta 93 最大比率类型订货代号 (录音带和卷轴) 标记包装 1) 管脚配置 smbta 92 smbta 93 q68000-a6479 q68000-a6483 s2D s2E sot-23 B E C 1 2 3 1) 为详细地信息看 chapter 包装轮廓. 2) 包装挂载在环氧的 pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm 2 cu. 参数标识值单位发射级-根基电压 V EB0 集电级-根基电压 V CB0 接合面温度 T j ˚C 总的电源消耗, T S = 74 ˚C P tot mW 存储温度范围 T stg 集电级-发射级电压 V CE0 V 热的阻抗接合面 - 包围的 2) R th ja ≤ 280 k/w 5 360 150 – 65 … + 150 300 200 smbta 92 smbta 93 集电级电流 I C mA500 根基电流 I B 100 接合面 - 焊接要点 R th js ≤ 210 300 200 ● 高损坏电压 ● 低集电级-发射级饱和电压 ● complementary 类型: smbta 42, smbta 43 (npn) 5.91

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