E
初步的
July1997 顺序 号码: 290530-005
n
intel smartvoltage 技术
5v 或者 12v 程序/擦掉
2.7v, 3.3v 或者 5v 读 运作
增加 程序编制 throughput
在 12v v
PP
n
非常 高-效能 读
5v: 60/80/120 ns 最大值 进入 时间,
30/40 ns 最大值 输出 使能 时间
3v: 110/150/180 ns 最大值 进入
65/90 ns 最大值 输出 使能 时间
2.7v: 120 ns 最大值 进入 65 ns 最大值
输出 使能 时间
n
低 电源 消耗量
最大值 60 毫安 读 电流 在 5v
最大值 30 毫安 读 电流 在
2.7v
–3.6v
n
x8/x16-可选择的 输入/输出 总线
28f400 为 高 效能 16- 或者
32-位 cpus
n
x8-仅有的 输入/输出 architecture
28f004b 为 空间-constrained
8-位 产品
n
优化 排列 blocking architecture
一个 16-kb 保护 激励 块
二 8-kb 参数 blocks
一个 96-kb 主要的 块
三 128-kb 主要的 blocks
顶 或者 bottom 激励 locations
n
绝对 硬件-保护 为 激励
块
n
软件 可擦可编程只读存储器 emulation 和
参数 blocks
n
扩展 温度 运作
–40°c 至 +85°c
n
扩展 cycling 能力
100,000 块 擦掉 循环
(商业的 温度)
10,000 块 擦掉 循环
(扩展 温度)
n
automated 文字/字节 程序 和
块 擦掉
工业-标准 command 用户
接口
状态 寄存器
擦掉 suspend 能力
n
sram-兼容 写 接口
n
自动 电源 savings 特性
1 毫安 典型 i
CC
起作用的 电流 在
静态的 运作
n
重置/深的 电源-向下 输入
0.2 µa i
CC
典型
提供 重置 为 激励 行动
n
硬件 数据 保护 特性
写 lockout 在 电源
Transitions
n
工业-标准 表面 挂载
包装
40-含铅的 tsop
44-含铅的 psop: 电子元件工业联合会 只读存储器
兼容
48-含铅的 tsop
56-含铅的 tsop
n
footprint upgradeable 从 2-mbit 和
至 8-mbit 激励 块 flash memories
n
etox™ iv flash 技术
4-mbit (256k x 16, 512k x 8)
smartvoltage 激励 块 flash
记忆 家族
28f400bv-t/b, 28f400cv-t/b, 28f004bv-t/b
28f400ce-t/b, 28f004be-t/b
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