©2002 仙童 半导体 公司 rev. b1, 12月 2002
tip140t/141t/142t
npn 外延的 硅 darlington 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : tip140t
: tip141t
: tip142t
60
80
100
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : tip140t
: tip141t
: tip142t
60
80
100
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 10 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) 15 一个
I
B
根基 电流 (直流) 0.5 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 80 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压
: tip140t
: tip141t
: tip142t
I
C
= 30ma, i
B
= 0 60
80
100
V
V
V
I
CEO
集电级 截-止 电流
: tip140t
: tip141t
: tip142t
V
CE
= 30v, i
B
= 0
V
CE
= 40v, i
B
= 0
V
CE
= 50v, i
B
= 0
2
2
2
毫安
毫安
毫安
I
CBO
集电级 截-止 电流
: tip140t
: tip141t
: tip142t
V
CB
= 60v, i
E
= 0
V
CB
= 80v, i
E
= 0
V
CB
= 100v, i
E
= 0
1
1
1
毫安
毫安
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
是
= 5v, i
C
= 0 2 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 4v, i
C
= 5a
V
CE
=4v, i
C
= 10a
1000
500
毫安
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 5a, i
B
= 10ma
I
C
= 10a, i
B
= 40ma
2
3
V
V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10a, i
B
= 40ma 3.5 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 4v, i
C
= 10a 3 V
t
D
延迟 时间 V
CC
= 30v, i
C
= 5a
I
B1
= 20ma
I
B2
= -20ma
R
L
= 6
Ω
0.15
µ
s
t
R
上升 时间 0.55
µ
s
t
STG
存储 时间 2.5
µ
s
t
F
下降 时间 2.5
µ
s
tip140t/141t/142t
大而单一的 构建 和 建造 在 根基-
发射级 调往 电阻器
• 高 直流 电流 增益 : h
FE
= 1000 @ v
CE
= 4v, i
C
= 5a (最小值.)
• 工业的 使用
• complement 至 tip145t/146t/147t
相等的 电路
B
E
C
R1
R2
R
18
k
Ω≅
R
20.12
k
Ω≅
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
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