整体的 设备 技术, 公司
描述:
这 fct16374t/在/ct/et 和 fct162374t/在/ct/et
16-位 边缘-triggered d-类型 寄存器 是 建造 使用 ad-
vanced 双 metal cmos 技术. 这些 高-速,
低-电源 寄存器 是 完美的 为 使用 作 缓存区 寄存器 为
数据 同步 和 存储. 这 输出 使能 (x
OE
)
和 时钟 (xclk) 控制 是 有组织的 至 运作 各自
设备 作 二 8-位 寄存器 或者 一个 16-位 寄存器 和
一般 时钟. 流动-通过 organization 的 信号 管脚 sim-
plifies 布局. 所有 输入 是 设计 和 hysteresis 为
改进 噪音 余裕.
这 fct16374t/在/ct/et 是 ideally suited 为 驱动
高-电容 负载 和 低-阻抗 backplanes. 这
输出 缓存区 是 设计 和 电源 止 使不能运转 能力
至 准许 "live 嵌入" 的 boards 当 使用 作 backplane
驱动器.
这 fct162374t/在/ct/et 有 保持平衡 输出 驱动
和 电流 限制的 电阻器. 这个 提供 低 地面 bounce,
minimal undershoot, 和 控制 输出 下降 times– reduc-
ing 这 需要 为 外部 序列 terminating 电阻器. 这
fct162374t/在/ct/et 是 plug-在 替换 为 这
fct16374t/在/ct/et 和 abt16374 为 在-板 总线 inter-
面向 产品.
idt54/74fct16374t/在/ct/et
idt54/74fct162374t/在/ct/et
快 cmos 16-位
寄存器 (3-状态)
函数的 块 图解
1
O
1
1
OE
1
CLK
1
D
1
2542 drw 01
至 7 其它 途径
C
D
2
O
1
2
OE
2
CLK
2
D
1
至 7 其它 途径
C
D
2542 drw 01
这 idt 标志 是 一个 注册 商标 的 整体的 设备 技术, 公司
军队 和 商业的 温度 范围 8月 1996
1996 整体的 设备 技术, 公司
5.8
dsc-4230/9
1
特性:
• 一般 特性:
– 0.5 micron cmos 技术
– 高-速, 低-电源 cmos 替换 为
abt 功能
–
典型 t
SK
(o) (输出 skew) < 250ps
– 低 输入 和 输出 泄漏
≤
1
µ
一个 (最大值.)
– 静电释放 > 2000v 每 mil-标准-883, 方法 3015;
> 200v 使用 机器 模型 (c = 200pf, r = 0)
– 包装 包含 25 mil 程度 ssop, 19.6 mil 程度
tssop, 15.7 mil 程度 tvsop 和 25 mil 程度 cerpack
– 扩展 商业的 范围 的 -40
°
c 至 +85
°
C
–V
CC
= 5v
±
10%
• 特性 为 fct16374t/在/ct/et:
– 高 驱动 输出 (-32ma i
OH
, 64ma i
OL
)
– 电源 止 使不能运转 输出 准许 “live insertion”
– 典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 1.0v 在
V
CC
= 5v, t
一个
= 25
°
C
• 特性 为 fct162374t/在/ct/et:
– 保持平衡 输出 驱动器:
±
24ma (商业的),
±
16ma (军队)
– 减少 系统 切换 噪音
– 典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 0.6v 在
V
CC
= 5v,t
一个
= 25
°
C
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