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TPIC6B259
电源 逻辑 8-位 addressable 获得
slis030 – april 1994 – 修订 july 1995
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
低 r
ds(在)
...5
Ω
典型
D
avalanche 活力 ...30 mj
D
第八 电源 dmos-晶体管 输出 的
150-毫安 持续的 电流
D
500-毫安 典型 电流-限制的 能力
D
输出 clamp 电压 . . . 50 v
D
四 distinct 函数 模式
D
低 电源 消耗量
描述
这个 电源 逻辑 8-位 addressable 获得 控制
打开-流 dmos-晶体管 输出 和 是
设计 为 一般-目的 存储
产品 在 数字的 系统. 明确的 使用
包含 working 寄存器, 串行-支持 寄存器,
和 decoders 或者 demultiplexers. 这个 是 一个 multi-
函数的 设备 有能力 的 storing 单独的-线条
数据 在 第八 addressable latches 和 3-至-8
解码器 或者 demultiplexer 和 起作用的-低 dmos
输出.
四 distinct 模式 的 运作 是 可选择的 用
controlling 这 clear (clr
) 和 使能 (g) 输入
作 enumerated 在 这 函数 表格. 在 这
addressable-获得 模式, 数据 在 这 数据-在 (d)
终端 是 写 在 这 addressed 获得. 这
addressed dmos-晶体管 输出 inverts 这
数据 输入 和 所有 unaddressed dmos-晶体管
输出 remaining 在 它们的 previous states. 在 这
记忆 模式, 所有 dmos-晶体管 输出
仍然是 在 它们的 previous states 和 是 unaffected
用 这 数据 或者 地址 输入. 至 eliminate 这
possibility 的 进去 erroneous 数据 在 这 获得,
使能 g
应当 是 使保持 高 (inactive) 当 这
地址 线条 是 changing. 在 这 3-至-8 解码
或者 demultiplexing 模式, 这 addressed 输出 是
inverted 和 遵守 至 这 d 输入 和 所有 其它
输出 是 止. 在 这 clear 模式, 所有 输出 是 止 和 unaffected 用 这 地址 和 数据 输入. 当 数据
是 低 为 一个 给 输出, 这 dmos-晶体管 输出 是 止. 当 数据 是 高, 这 dmos-transistor 输出 有
下沉-电流 能力.
输出 是 低-一侧, 打开-流 dmos 晶体管 和 输出 比率 的 50 v 和 150-毫安 持续的
下沉-电流 能力. 各自 输出 提供 一个 500-毫安 典型 电流 限制 在 t
C
= 25
°
c. 这 电流 限制
减少 作 这 接合面 温度 增加 为 额外的 设备 保护.
这 tpic6b259 是 典型 为 运作 在 这 运行 情况 温度 范围 的  –40
°
c 至 125
°
c.
版权

1997, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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NC
V
CC
S0
DRAIN0
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地
地
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CLR
D
DRAIN7
DRAIN6
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G
S2
地
dw 或者 n 包装
(顶 视图)
输出 的
ADDRESSED
流
各自
其它
流
输入
函数
CLR G
函数 表格
获得 选择 表格
选择 输入 流
ADDRESSED
0
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L
L
L
L
H
H
H
H
D
H
H
L
L
H
L
L
H
Q
io
Q
io
Q
io
Q
io
H H X 记忆
L
L
L
L
H
L
L
H
H
H
8-线条
Demultiplexer
L H X H H Clear
Addressable
获得
S2 S1 S0
L
L
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
nc – 非 内部的 连接
h = 高 水平的,   l = 低 水平的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.

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TPIC6B259 电源逻辑 8-位 addressable 获得 slis030 – april 1994 – 修订 july 1995 1 邮递办公室盒 655303 • 达拉斯市, 德州 75265 D 低 r ds(在) ...5 Ω 典型 D avalanche 活力 ...30 mj D 第八电源 dmos-晶体管输出的 150-毫安持续的电流 D 500-毫安典型电流-限制的能力 D 输出 clamp 电压 . . . 50 v D 四 distinct 函数模式 D 低电源消耗量描述这个电源逻辑 8-位 addressable 获得控制打开-流 dmos-晶体管输出和是设计为一般-目的存储产品在数字的系统. 明确的使用包含 working 寄存器, 串行-支持寄存器, 和 decoders 或者 demultiplexers. 这个是一个 multi- 函数的设备有能力的 storing 单独的-线条数据在第八 addressable latches 和 3-至-8 解码器或者 demultiplexer 和起作用的-低 dmos 输出. 四 distinct 模式的运作是可选择的用 controlling 这 clear (clr ) 和使能 (g) 输入作 enumerated 在这函数表格. 在这 addressable-获得模式, 数据在这数据-在 (d) 终端是写在这 addressed 获得. 这 addressed dmos-晶体管输出 inverts 这数据输入和所有 unaddressed dmos-晶体管输出 remaining 在它们的 previous states. 在这记忆模式, 所有 dmos-晶体管输出仍然是在它们的 previous states 和是 unaffected 用这数据或者地址输入. 至 eliminate 这 possibility 的进去 erroneous 数据在这获得, 使能 g 应当是使保持高 (inactive) 当这地址线条是 changing. 在这 3-至-8 解码或者 demultiplexing 模式, 这 addressed 输出是 inverted 和遵守至这 d 输入和所有其它输出是止. 在这 clear 模式, 所有输出是止和 unaffected 用这地址和数据输入. 当数据是低为一个给输出, 这 dmos-晶体管输出是止. 当数据是高, 这 dmos-transistor 输出有下沉-电流能力. 输出是低-一侧, 打开-流 dmos 晶体管和输出比率的 50 v 和 150-毫安持续的下沉-电流能力. 各自输出提供一个 500-毫安典型电流限制在 t C = 25 ° c. 这电流限制减少作这接合面温度增加为额外的设备保护. 这 tpic6b259 是典型为运作在这运行情况温度范围的 –40 ° c 至 125 ° c. 版权  1997, 德州器械组成公司的生产数据信息是电流作的发行日期. 产品遵从至规格每这条款的德州器械标准保用单. 生产处理做不必然地包含测试的所有参数. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 NC V CC S0 DRAIN0 DRAIN1 DRAIN2 DRAIN3 S1 地地 NC CLR D DRAIN7 DRAIN6 DRAIN5 DRAIN4 G S2 地 dw 或者 n 包装 (顶视图) 输出的 ADDRESSED 流各自其它流输入函数 CLR G 函数表格获得选择表格选择输入流 ADDRESSED 0 1 2 3 4 5 6 7 L L L L H H H H D H H L L H L L H Q io Q io Q io Q io H H X 记忆 L L L L H L L H H H 8-线条 Demultiplexer L H X H H Clear Addressable 获得 S2 S1 S0 L L H H L L H H L H L H L H L H nc – 非内部的连接 h = 高水平的, l = 低水平的生产数据信息是电流作的发行日期. 产品遵从至规格每这条款的德州器械标准保用单. 生产处理做不必然地包含测试的所有参数.

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