TPIC6A595
电源 逻辑 8-位 变换 寄存器
slis005a – april 1993 – 修订 january 1995
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
低 r
ds(在)
...1
Ω
Typ
D
输出 短的-电路 保护
D
avalanche 活力 ...75 mj
D
第八 350-毫安 dmos 输出
D
50-v 切换 能力
D
设备 是 cascadable
D
低 电源 消耗量
描述
这 tpic6a595 是 一个 大而单一的, 高-电压,
高-电流 电源 逻辑 8-位 变换 寄存器
设计 为 使用 在 系统 那 需要 相当地
高 加载 电源. 这 设备 包含 一个 建造-在
电压 clamp 在 这 输出 为 inductive
瞬时 保护. 电源 驱动器 产品
包含 接转, solenoids, 和 其它 中等-cur-
rent 或者 高-电压 负载. 各自 打开-流
dmos 晶体管 特性 一个 独立
chopping 电流-限制的 电路 至 阻止
损坏 在 这 情况 的 一个 短的 电路.
这个 设备 包含 一个 8-位 串行-在, 并行的-输出
变换 寄存器 那 feeds 一个 8-位, d-类型 存储
寄存器. 数据 transfers 通过 两个都 这 变换 和
存储 寄存器 在 这 rising 边缘 的 这 变换-
寄存器 时钟 (srck) 和 这 寄存器 时钟
(rck), 各自. 这 存储 寄存器
transfers 数据 至 这 输出 缓存区 当 变换-
寄存器 clear (srclr
) 是 高. 当 srclr是
低, 这 输入 变换 寄存器 是 cleared. 当 输出
使能 (g) 是 使保持 高, 所有 数据 在 这 输出 缓存区 是 使保持 低 和 所有 流 输出 是 止. 当 g是 使保持
低, 数据 从 这 存储 寄存器 是 transparent 至 这 输出 缓存区. 这 串行 输出 (ser 输出) 准许 为
cascading 的 这 数据 从 这 变换 寄存器 至 额外的 设备.
输出 是 低-一侧, 打开-流 dmos 晶体管 和 输出 比率 的 50 v 和 一个 350-毫安 持续的 下沉
电流 能力. 当 数据 在 这 输出 缓存区 是 低, 这 dmos-晶体管 输出 是 止. 当 数据 是 high,
这 dmos-晶体管 输出 有 下沉 电流 能力.
独立的 电源 地面 (pgnd) 和 逻辑 地面 (lgnd) terminals 是 提供 至 facilitate 最大 系统
flexibility. 所有 pgnd terminals 是 内部 连接, 和 各自 pgnd 终端 必须 是 externally 连接
至 这 电源 系统 地面 在 顺序 至 降低 parasitic 阻抗. 一个 单独的-要点 连接 在 lgnd
和 pgnd 必须 是 制造 externally 在 一个 manner 那 减少 串扰 在 这 逻辑 和 加载 电路.
这 tpic6a595 是 offered 在 一个 thermally-增强 双-在-线条 (ne) 包装 和 一个 宽-身体 surface-mount
(dw) 包装. 这 tpic6a595 是 典型 为 运作 在 这 运行 情况 温度 范围 的
–40
°
c 至 125
°
c.
版权
1995, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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ser 在
V
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LGND
ser 输出
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DRAIN6
ne 包装
(顶 视图)
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dw 包装
(顶 视图)
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