硅 晶体管
特性
• 低 电流, 高 增益
|S
21e
|
2
= 9 db 典型值 @v
CE
= 2 v, i
C
= 7 毫安, f = 2 ghz
|S
21e
|
2
= 8.5 db 典型值 @v
CE
= 1 v, i
C
= 5 毫安, f = 2 ghz
• 一个 超级的 迷你 模型 包装 adopted
• 建造-在 2 晶体管 (2
×
2sc5179)
订货 信息
部分 号码 QUANTITY 包装 样式
µ
PA807T loose 产品
(50 pcs)
µ
pa807t-t1 taping 产品
(3 kpcs/卷轴)
Remark
如果 你 需要 一个 evaluation 样本, 请 联系 一个
nec 销售 代表. (单位 样本 quantity 是 50
pcs.)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
°
c)
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
5V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
3V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
2V
集电级 电流 I
C
10 毫安
总的 电源 消耗 P
T
30 在 1 元素 mW
60 在 2 elements
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
–65 至 +150
°
C
µ
PA807T
文档 非. p12153ej2v0ds00 (2nd 版本)
(previous 非. id-3641)
日期 发行 十一月 1996 n
打印 在 日本
微波 低 噪音 放大器
npn 硅 外延的 晶体管
(和 建造-在 2 elements) 超级的 迷你 模型
2.1±0.1
1.25±0.1
2.0±0.2
1.3
0.650.65
0.2
+0.1
–0
123
654
XY
0.9±0.1
0.7
0 至 0.1
0.15
+0.1
–0
包装 绘画
(单位: mm)
©
1994
数据 薄板
©
1995
654
123
Q
1
Q
2
管脚 连接
管脚 配置 (顶 视图)
1. 集电级 (q1)
2. 发射级 (q1)
3. 集电级 (q2)
4. 发射级 (q2)
5. 根基 (q2)
6. 根基 (q1)
压印浮凸 录音带 8 mm 宽. 管脚 6
(q1 根基), 管脚 5 (q2 根基), 管脚 4
(q2 发射级) 面向 至 perforation
一侧 的 这 录音带.
这个 设备 使用 无线电 频率 技术. 引领 预定的 预防措施 至 保护 它 从 过度的 输入 水平 此类 作 静态的 electricity.
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