半导体 组件 industries, llc, 2004
九月, 2004 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
umc2nt1/d
umc2nt1, umc3nt1,
UMC5NT1
preferred 设备
双 一般
base−collector 偏差
电阻 晶体管
npn 和 pnp 硅 表面 挂载
晶体管 和 大而单一的 偏差
电阻 网络
这 偏差 电阻 晶体管 (brt) 包含 一个 单独的 晶体管 和
一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基
电阻 和 一个 base−emitter 电阻. 这些 数字的 晶体管 是
设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的 外部 电阻 偏差
网络. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 在 这 umc2nt1 序列, 二
complementary brt 设备 是 housed 在 这 sot−353 包装
这个 是 完美的 为 低 电源 表面 挂载 产品 在哪里 板
空间 是 在 一个 premium.
特性
•
pb−free 包装 是 有
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
有 在 8 mm, 7 inch/3000 单位 录音带 和 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出, 一般 为 q
1
和 q
2
, − minus sign 为 q
1
(pnp) omitted)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
热的 阻抗 − 接合面-至-包围的
(表面 挂载)
R
θ
JA
833
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−65 至
+150
°
C
总的 包装 消耗
@ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
P
D
*150 mW
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这
最小 推荐 footprint.
sc−88a/sot−353
情况 419a
样式 6
Ux = 设备 标记
x = 2, 3 或者 5
d = 日期 代号
Ux
标记
图解
132
54
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
45
Q1
Q2
R1
R1
R2
R2
312
d
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 3 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
http://onsemi.com
: 点此下载
